Статус продукта Активен
Полевой транзистор N-канального типа
Технология MOSFET (оксид металла)
Напряжение от стока до источника (Vdss) 60 В
Постоянный ток стока (Id) при 25 ° C 24A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds включено, мин. Rds включено) 6 В, 10 В
Rds включено (макс.) при Id, напряжение 2,8 Мом при 50А, 10 В
Напряжение (th) (макс.) при Id 3,3 В при 50 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 49 nC при 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) при Vds 3375 пФ при 30 В
Функция полевого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3 Вт (Ta), 100 Вт (Tc)
Рабочая температура -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Тип монтажа Поверхностное крепление
Комплект поставки устройства поставщика PG-TDSON-8-7
Комплектация / Корпус 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта BSC028
